2.超大带宽高频ICBAR滤波芯片！诺思重磅推出两款适用于WiFi 6E/7频段滤波芯片；

  集微网消息，12月9日，海门集成电路产业高质量发展大会暨集微产业创新基地推介会即将在南通海门隆重举办，今天迎来倒计时3天！

  大会由南通市海门区委、区政府指导，爱集微咨询（厦门）有限公司主办，聚焦“融入长三角 协同促‘芯’链”主题，推介南通海门集成电路产业高质量发展成果，拟邀请百位嘉宾代表，搭建对接交流、开放链接、合作共赢平台，助推集成电路产业更好强链补链延链。

  通过“区长一对一交流”、海门集微产业创新基地开园剪彩、产业推介、嘉宾讲座、主题讨论、入驻企业战略合作签约等六大环节，促进产业界、投资界、学术界嘉宾充分交流，围绕科学技术创新开展高峰对话，携手打造产业新高地。截至12月5日，大会已收到上市企业、有突出贡献的公司、新锐企业和投资机构在内的近百份参会回执，涉及晶圆前道量测检测、IDM、射频芯片、XPU、MEMS、功率器件、车规MCU、存储、显示器件制造等超30类细分领域！

  高规格、广参与、促发展，是本次大会的特点。“海门区长一对一交流”环节已吸引旺太半导体、芯享科技、美懿科技、浙江微磁精密、睿新库、安徽拓扑芯、齐芯微、镭神泰克、鼎捷芯、紫创科技、方辰电子、苏州能讯高能半导体、北京力通通信、诺思、北京普能微电子、上海铠铂、昀光科技等众多企业报名参与，由董事长、董秘、联合创始人、总经理等高管带队，一支“顶流团队”相聚海门。

  届时，大会还将发布权威报告。爱集微副总裁、法律服务部总经理陈宝亮还将作《2024中美半导体贸易管制预测》主旨分享，针对性分析中美半导体管制趋势，同与会嘉宾一道探讨未来风向与产业路径。

  “张謇故里群芯汇聚，江海大地才智奔涌。”海门有着丰富的江海资源、雄厚的产业基础。近年来，海门将新一代信息技术产业列入重点培育产业，在体系建设、特色发展、生态营造方面打下较好基础，并在芯片设计、制造、封装测试及相关设备的研发与生产环节形成一定的规模优势，持续推动产业链做大做强。

  海门集成电路产业高质量发展大会暨集微产业创新基地推介会举办在即，大会组委会向愿与海门竭诚合作、互利共赢、协同发展的有志之士发出热烈邀请，诚邀赴会！

  2.超大带宽高频ICBAR滤波芯片！诺思重磅推出两款适用于WiFi 6E/7频段滤波芯片

  集微网消息，近年来，伴随着5G等通讯技术的发展，WiFi 6各种新型技术没办法充分满足下游应用如VR/AR、8K视频、远程办公等所需求的更高吞吐量与更低时延，因此WiFi 6E/7应势而生。

  WiFi 6E/7是在原有WiFi 6（2.4GHz、5GHz）两个频段的基础上引入了6GHz频段的支持，全新的6GHz频带（5925-7125 MHz）带宽为1.2 GHz，可容纳7个160MHz的频带或14个80MHz的频带。WiFi 6E/7多频段下可以合理分配网络资源，且理论速度比WiFi 6快4.8倍，比WiFi 5快13倍，它将游戏、通信、视频以及更多应用提升到全新水平，有效提升网络高数据吞吐、低延迟，缓解网络拥堵。在通信设施、智能家居、物联网等领域，WiFi 6E/7将获得更为广泛应用。

  随着当前5G通信、WiFi6E/WiFi7以及卫星通信的普及，设计者对滤波芯片性提出更高的要求，产品的“高频化、宽带化、小型化”成为当下亟待解决的问题。

  新增6GHz_5945~7125MHz（共1.2GHz带宽）频段与5.5GHz_5170~5815MHz（共665MHz带宽频段）相距仅有110MHz，同时有较高抑制需求。诺思最新推出两款超大带宽高频ICBAR滤波芯片（RSJP5501P/RSJP6501P），有效解决了邻近信号共存问题，通带抑制48dB。同时具有更低的插入损耗（Typical 3dB），更加紧凑的产品尺寸（1.8mm*1.6mm），帮助客户进一步缩小尺寸、降低功耗，提高行业领先优势。

  抑制频段（5170-5815MHz）·UNII 1-3和UNII 5-8相互抑制特别的重要。从图中能够准确的看出，RSJP6501P的插损、抑制等电性能参数，达到国际一流水平；在5.5G（5170-5815MHz）频段的抑制典型值还可以做到-48dB以下，减少系统间的串扰。

  截止今日，诺思已完成WiFi 系列新产品开发，性能行业领先，更多产品信息欢迎咨询联系。

  集微网消息，12月6日，江苏艾森半导体材料股份有限公司正式登陆科创板，股票简称为艾森股份，股票代码为688720，发行价格为28.03元/股，截止至发稿，实时股价大涨115%至60.41元/股。

  资料显示，艾森股份成立于2010年，围绕电子电镀、光刻两个半导体制造及封装过程中的关键工艺环节，形成了电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂两大产品板块的布局，产品大范围的应用于集成电路、新型电子元件及显示面板等行业。未来，随着更多创新产品导入供应链，将会更好助力我国半导体产业链自主可控能力，加速国产替代进程。

  功能湿化学品及光刻胶技术门槛高，国内化学品企业市场占有率与国际领先相比差距较大，根据中国电子材料行业协会数据，2022年，我国集成电路用湿化学品整体国产化率为38%，g/i线光刻胶领域国产化率不足20%，KrF光刻胶整体国产化率不足2%，ArF/ArFi光刻胶整体国产化率不足1%。

  基于国内半导体产业的快速发展需求，本土电子化学品企业持续发力，其中艾森股份立足传统封装，电镀液产品已逐步向其他应用领域延伸，覆盖被动元件、PCB、先进封装、晶圆、光伏等领域的电镀工艺需求，并在晶圆制造28nm、14nm等先进制程取得重要进展。

  其中，先进封装用电镀铜基液（高纯硫酸铜）已在华天科技正式供应；先进封装用电镀锡银添加剂已通过长电科技的认证，尚待计算机显示终端认证通过；先进封装用电镀铜添加剂正处于研发及认证阶段。在晶圆制造相关的电镀领域，艾森股份与A公司进行合作，开展大马士革铜互连工艺镀铜添加剂等产品的研发。

  经过数年技术攻坚，艾森股份不断取代国外材料公司在该领域的市场占有率，目前已成为国内领先的半导体封装用电镀液及配套试剂生产企业，根据中国电子材料行业协会的数据，2020年至2022年，艾森股份在集成电路封装（含集成电路先进封装及传统封装）用电镀液及配套试剂市场占有率均超过20%，排名国内前二。

  艾森股份同时积极开展光刻胶的研发，自研先进封装用g/i线负性光刻胶已通过长电科技、华天科技认证并实现批量供应；OLED光刻胶也打破国外垄断，OLED阵列制造正性光刻胶已通过京东方两膜层认证且实现小批量供应，目前正在进行京东方的全膜层测试认证；晶圆制造i线正性光刻胶同时在华虹宏力实现小批量供应；

  此外，PSPI产品性能也已能对标国际大厂竞品，目前处于客户端测试评估中。待产品大规模出货，有望加速国产替代进程。

  随着技术的持续突破，艾森股份的客户群也逐步扩大，已覆盖长电科技、通富微电、华天科技、日月新等国内集成电路封测头部厂商以及国巨电子、华新科等国际知名电子元件厂商；晶圆和显示面板领域同时与中芯国际、华虹宏力、士兰微、京东方、维信诺等头部企业在关键材料方面展开积极合作。

  艾森股份打破国际垄断、加速国产替代背后，离不开公司在技术领域的高研发投入，2020年-2023年H1分别为1727.17万元、2348.72万元、2369万元和1359.85万元，研发费用率分别为8.27%、7.47%、7.32%和8.83%。

  截至2023年6月末，艾森股份已获发明专利授权30项，专利覆盖电镀添加剂、光刻胶及其他配套化学品等产品，并成为国家工信部第二批专精特新“小巨人”企业，以及第一批工信部建议支持的国家级专精特新“小巨人”企业。

  基于自身创造新兴事物的能力及所掌握的核心技术，艾森股份为加快我国在半导体材料领域的自主可控能力，已于2022年10月10日启动了科创板IPO上市进程，计划募资投建年产1.2万吨半导体专用材料项目和集成电路材料测试中心项目。

  至2023年9月19日，艾森股份IPO项目获批注册，本次公开发行2203.33万股股票，占发行后总股本的25%，发行价格为28.03元/股，募集资金总额为6.18亿元，扣除发行费用后，募集资金净额为5.44亿元。

  其中，募投项目“年产1.2万吨半导体专用材料项目”总投资2.5亿元，厂房及生产线月建成，目前处于产能稳步爬坡阶段。项目产品有半导体用湿电子化学品、光刻胶/PSPI（光敏型聚酰亚胺）、电子浆料等，艾森股份表示，项目的建设能大幅度的提高公司产能，有效消除昆山工厂产能瓶颈对公司发展的限制，逐步扩大公司电子化学品的供应能力，巩固公司行业龙头位置。

  募投项目“集成电路材料测试中心项目”总投资4.5亿元，主要开展半导体光刻胶、晶圆制造等先进制程电镀添加剂及配套试剂的研发和材料性能评价工作。项目建设可以大幅改善公司研发条件，提升新产品的测试能力，有效缩短新产品认证周期，提升行业关键生产技术、掌握新产品的核心工艺，持续缩小与国际竞争对手的差距。目前，测试中心项目的建筑工程主体已经完工，研发及测试设备选型初步完成，预计2024年第二季度逐步投入使用。

  集微网消息，英伟达CEO黄仁勋12月6日表示，在生产最好的人工智能（AI）芯片的竞争中，华为是英伟达公司“很强大”的竞争对手之一。

  黄仁勋表示，华为、英特尔和不断壮大的半导体初创公司对英伟达在AI加速器市场的主导地位构成了严峻挑战。华为已成长为中国的芯片技术冠军，并于今年凭借中国制造智能手机处理器重新引起关注。

  黄仁勋在访问新加坡期间，对华出口的问题非常关注。英伟达的芯片已成为AI热潮中最热门的商品。

  但美国对英伟达的AI芯片销售设置了壁垒，于今年10月中旬进一步收紧了英伟达人工智能芯片的准入。美国商务部长雷蒙多近日表示，不能让中国获得尖端技术芯片。

  黄仁勋称，中国市场占英伟达销售额的20%左右，该公司将继续“完美”遵守贸易法规。英伟达将应对日益严峻的中美贸易焦灼的事态，为中国市场提供一套符合美国最新规定的新产品。

  黄仁勋称，英伟达确实为新加坡的中国客户提供服务，包括字节跳动（其TikTok业务是当地的主要雇主）、腾讯控股、阿里巴巴等公司的国际云业务。在截至10月份的三个月内，来自新加坡这一些企业的收入约占英伟达收入的15%。

  集微网报道 那边厢国际大厂在接力裁员，这边厢国内“富二代”IC设计公司则相继爆雷。继TCL摩星半导体之后，复星集团旗下复睿微电子被传出解散。加上前不久的OPPO哲库“失联”，不禁要问：“富二代”为何如此命比纸薄？

  尽管“幸福的家庭总是相似的，不幸的家庭各有各的不幸。”但总结这些“富二代”陨落的缘由，既要看企业自身的小循环问题，也要看行业的大环境影响。

  北京半导体行业协会副秘书长朱晶近日在朋友圈中分享了这些“富二代”企业突然解散呈现的特点：一是都是“攒局”式发展。核心团队是用远高于市场合理的薪水攒起来的，非整建制，无凝聚力也缺乏使命感，容易派系林立。二是都是背靠金主“输血”。金主无论是喂资源，还是喂订单，或者直接喂钱，一旦停止了也就散了。三是都是无法被并购。本就是背靠大企业孵化的公司，被并购的约束太多，所以原地解散是最简单粗暴直接的。四是都没活过一个周期。半导体行业3～4年一个周期，这几家企业成立时间都不超过4年，最短的不超过两年，都是生于安乐死于忧患。

  这些特点无疑也道出了诸多“富二代”的通病，看似背靠大树好乘凉、有钱有资源有人才，但也导致生命力不顽强、战斗力羸弱。从深层次来看，这些厂商难以维系的原因除团队内耗、躺平思想严重之外，定位或是一大主因。

  以摩星为例，其产品方向涉及智能感知交互、AI图像处理、智能连接以及新型显示驱动IC设计。一个初创团队本应集中火力尽快实现单点突破打开局面，而四面出击的结果也只能是遭受“十面埋伏”。复睿微电子主要聚焦于车规大算力芯片，包括智能座舱、ADAS芯片开发，尽管金主爸爸贵为复星集团，但在汽车市场缺乏资源和洞察，对车规级芯片的开发难度、认证周期、落地挑战认识不足，加之面临高通、Mobileye等巨头以及国内布局多年的地平线、黑芝麻、芯擎等的激烈竞争，最终折戟沉沙。

  从大环境来看，近年来的经济衰退、下行周期、需求不振、地理政治学……半导体产业经历了波诡云谲的变革和多重因素导致的周期性下滑，引发全球半导体市场格局的重塑，在这一过程中，行业内部的调整和重组已成为必然。

  就连叱咤风云的国际巨头也不得不放下身段，选择余波不断的裁员作为应对行业下行期的策略。对于处于初创阶段的“富二代”IC设计企业来说，由于主业表现欠佳，自身又融资困难、需求低迷、造血无望，那么也就来不及在夹缝中求生存，就被“雨打风吹去”。

  尽管不断有“先烈”在前，但进入芯片设计业的系统级厂商名单仍在拉长，昆仑芯、平头哥、小米芯、vivo芯、字节芯、腾讯芯、蔚来芯、理想芯等等，而要想“活”得长久，从上述“富二代”IC设计企业的陨落中得到的启示值得“细思量”。

  首先要有长线思维。IC设计需要跑“马拉松”，除了围绕芯片加强研发、持续迭代之外，还需要持续投入，长期作战，以穿越产品周期、组织周期、行业周期和宏观周期。跨界造芯不是行不通，但一定要有足够的敬畏心，更要有足够的决心和耐心。从华为、苹果、三星的历程来看，均跨越和经历了多个半导体周期的生死考验，才得以百炼成钢。

  其次要淬炼竞争力。行业人士指出，芯片业发展到今天，无论是架构创新、设计创新，还是通过工艺、Chiplet、先进封装等优化，芯片制胜之道仍无止境。而华为海思的成功告诉我们，坚持自主创新至关重要，只有通过不断的技术突破和迭代，才能实现自身的逆袭。

  国内IC设计公司在一直在变化的市场环境下，可通过追求先进制程来提升性能从而建立门槛，通过打磨芯片把成本和性能做到极致，通过供应链优化来减少相关成本，通过扩大朋友圈来构建生态圈，打造芯片极致的性价比、强大的生态支撑力或可独树一帜。

  最后要攻守有道。在当前行业低迷的环境下，IC设计公司需要勒紧“裤腰带”，加强资金控制、成本控制以及提升效率，以守成为主，保证资金和供应链安全。而在挺过这一周期走向复苏之后，则要充分的利用资金杠杆，加强横向并购和纵向整合，扩充多元化的护城河。

  可喜的是，在被周期按在谷底反复摩擦的同时，马上就要来临的2024年，新一轮景气周期曙光似乎正在开启，全球多家分析机构无一例外给出同比上涨的预期，据国际数据公司（IDC）的最新预测，2024年全球半导体市场将同比增长20.2%，达到6330亿美元。

  放眼未来，半导体行业既是全球经济的重要支柱，也是科学技术创新的重要基础。随着全球经济的持续不断的发展，半导体行业仍具有巨大的增长潜力。预计到2030年，全球市场规模将达到1万亿美元慢慢的变成了行业内的共识，这一增长背后是AIGC、新能源汽车、数据中心和AIoT等领域的蓬勃发展，它们对先进半导体的需求日渐增长，而行业细致划分领域依旧不断涌出颠覆性变化，红海中不断涌现新蓝海。

  即便有众多公司铩羽而归，也不会阻挡新进入者趋之若鹜，更不会阻挡先行者的步伐。对于“剩者为王”的IC设计企业来说，能否把握这一波澜壮阔的1万亿美元市场机遇，不只决定自身的运命、行业的走向，更是中国国力所系。引用华为海思的故事来总结：“困难并不可怕，重点是我们怎么样看待和应对。”

  集微网报道，“在人工智能（AI）应用推动下，硅光子将成为半导体产业的关键技术”，台积电董事长曾如是看好硅光技术的前景。日月光投控营运长吴田玉也认为硅光子五年、十年后将成为下个时代的产业突破点，就如同过往的CoWoS。

  实际上，硅光技术早在1969年便由贝尔实验室提出，但受制于高损耗和工艺落后难以实现商业化落地，而后英特尔将这一技术发扬光大。近年来随着AI的发展，硅光技术再度走向大众视野。那么硅光技术的未来市场发展的潜力如何？各国家/地区的布局情况及本土厂商的发展形态趋势是怎样的？

  传统光学产品大多采用微光学技术，呈现着两大特点：一是由分立光学元件组成，二是利用多步耦合和激光焊接工序封装而成。因此这类产品均有着封装成本高、生产效率低、可靠性差等弊端。而硅光子技术有效地克服了以上难题，使得硅光产品在尺寸、功耗、封装成本、生产效率、可靠性等方面更具优势。

  行业人士指出，硅光子就是把电信号转换成传输更快的光信号，然后将硅光芯片、交换器芯片、RF芯片等装配在同一个插槽，形成共同封装，这样可大幅度缩短交换芯片与光模组间距，减少信号传输的路径长度，以连接许多计算核心。通过2.5D或3D整合互连的多个芯片来执行计算，可使交换器芯片功耗降低30%，在未来数据中心数据传输越来越庞大的趋势下，是不得已发展的一个关键技术。

  除了刘德音、吴田玉看好硅光子技术发展外，硅光子学领域设计服务企业OpenLight首席执行官Adam Carter也曾分享了对这一新兴起的产业的机遇洞察。他相信硅光子学将彻底改变人工智能/机器学习系统的未来，与传统的电信号解决方案相比具有巨大的优势：“随着AI和机器学习真正开始发展，我预计光学连接的数量，特别是在XPU（CPU、GPU和内存）之间的短距离连接的情况下，将会增加。”在Carter看来，硅光子学增强了CPU和GPU等计算单元之间的通信，并影响系统内内存单元的使用和优化方式。将硅光子学集成到人工智能中，为创建能够有效处理复杂任务并实现卓越性能的智能系统铺平了道路。

  基于多种优势，硅光子技术能应用在超大规模数据中心、高性能计算（HPC）、AI和机器学习、激光雷达、生物医学感测、量子力学等领域。市调机构Yole的报告数据显示，硅光子市场在2022年的价值为6800万美元，预计到2028年将增长到超过6亿美元，年复合增长率达44%（CAGR2022-2028）。这一增长主要由用于提升光纤网络容量的800G高数据速率可插拔模块推动。此外，随着训练数据集规模的迅速增加，预计数据中心将需要利用光学I/O来扩展机器学习（ML）服务器中的ML模型。

  各个国家/地区也早已预测到硅光子技术的广阔前景，一早便开始布局。从全球市场格局来看，美国起步最早，日本和欧洲逐步跟进，中国台湾也未缺席，中国大陆大概在2010年开始入局。

  美国的贝尔实验室早在1969年便提出了集成光学的概念，碍于当时条件有限并未实现商业化。1991年美国成立“光电子产业振兴会”以引导资本和各方力量进入光电子领域。而后英特尔于2010年推出首个50Gb/s超短距硅基集成光收发芯片，成功实现硅光技术产业化。今年11月，捷普宣布将接管英特尔目前基于硅光子的可插拔光收发器产品线的制造和销售，以及未来几代此类模块的开发；思科通过并购上下游交换机芯片厂商、硅光芯片厂商形成CPO方案的一体化布局，推出100G PSM4硅光子芯片、Acacia 400G硅光模块方案等多款产品；Marvell通过收购Inphi完善该领域布局，2022年推出业界首款800Gbps或8X100Gbps多模平台解决方案；另外，博通、IBM也在硅光器件、工艺和自动化封装方面做出了卓越贡献。

  日本发展光电子技术时间也较早，于1980年成立了光产业技术振兴协会以推动光电子技术发展。2010年，日本开始实施尖端研究开发资助计划（FIRST），这中间还包括光电子融合系统基础技术开发，以在2025年实现“片上数据中心”为目标；欧洲先后启动了HELIOS、PICMOS、ICT-STREAMS等一系列项目步步跟进，今年9月，欧盟规划了一项耗资4800万欧元、为期3.5年的硅光子商业化项目。photonixFAB项目由硅芯片代工厂X-FAB牵头，成员包括诺基亚、英伟达、Ligentec、imec和CEA-Leti等知名机构，旨在推动光子产品创新向前发展，同时为大批量制造奠定明确的道路。

  中国台湾方面在硅光子产业也不缺席，从上游到下游皆有相关供应链，上游磊晶的联亚，光收发模组厂有上诠、华星光通，设备厂波若威，封装技术厂讯芯-KY、台星科，测试厂旺矽、颖崴，800G交换器智邦、明泰等相关大厂皆已积极投入相关研发。此外今年9月有消息称台积电携手博通、英伟达等大客户共同开发硅光子技术，最快将于2024年下半年开始迎来大单。相关制程技术涵盖45nm至7nm，台积电为此投入200人的开发团队，瞄准明年马上就要来临的硅光子超高速芯片商机。预计2025年，台积电该技术将实现量产。

  不同于海外大厂以及中国台湾厂商的提早布局，中国大陆起步较晚，真正开始大规模研究硅光子技术是在2010年左右。但中国大陆对于硅光子研发技术人才、资金的大规模投入使得硅光产业在2017年以后迎来快速发展阶段，逐渐缩小与海外大厂的差距。中际旭创、新易盛、亨通光电等中国大陆企业目前正积极研发硅光产品，并积极与外部合作推动产业高质量发展。

  集微咨询（JW Insights）认为，中国大陆硅光产业发展机遇难得，除硅光设计软件存在比较大差距，其他从设计、制造、封测都有机会和国外齐头并进。中国大陆拥有全球最大的光通信市场，但国产光通信器件占比较低，光模块芯片的国产化非常关注。目前，中国大陆光模块公司正通过并购/自研加快布局上游芯片领域，提高自给率。

  写在最后：硅光技术凭借高带宽、小尺寸、低能耗和低成本等优势在通讯和高速运算领域极具发展的潜在能力，业界已达成“硅光将成为下个时代的产业突破点”的共识。从全球布局来看，美国起步最早，硅光产业链发展也最完善，日本、欧洲、中国台湾逐步跟进。中国大陆虽入局较晚但追赶速度较快，未来有望在行业需求放量时占有一席之地并逐步扩大规模。

  超大带宽高频ICBAR滤波芯片！诺思重磅推出两款适用于WiFi 6E/7频段滤波芯片

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